シリコンウエハー テーマ株一覧
シリコンウェハー(silicon wafer)とは、半導体デバイスの基板となる基礎素材。高純度なケイ素(シリコン)の単結晶を薄く切断してウエ...
シリコンウェハー(silicon wafer)とは、半導体デバイスの基板となる基礎素材。高純度なケイ素(シリコン)の単結晶を薄く切断してウエハー状にしたもの。ICなど集積回路の製造に多く使用される。大口径化が進んでおり、300ミリシリコンウエハーが主流となっている。
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(単位:億円)
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※株価:2024年10月04日 16:00現在
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銘柄 |
株価 |
時価総額 (億円) |
前日比 |
PER |
PBR |
利回り |
流動性 表記 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
472 |
|
-2 -0.42% | ー倍 | 0.92倍 | ー% |
| |
1,643.5 |
|
+9.5 +0.58% | ー倍 | 0.97倍 | ー% |
| |
3,770 |
|
-70 -1.82% | 13.1倍 | 1.57倍 | 0.93% |
| |
2,877.5 |
|
+4.0 +0.14% | 8.28倍 | 0.81倍 | 3.48% |
| |
6,023 |
|
-23 -0.38% | 22.4倍 | 2.68倍 | 1.76% |
| |
1,478 |
|
0 0.00% | ー倍 | 0.60倍 | ー% |
| |
1,238 |
|
-31 -2.44% | 10.4倍 | 0.79倍 | 2.91% |
| |
3,910 |
|
-90 -2.25% | 15.1倍 | 1.41倍 | 1.79% |
| |
1,803 |
|
-4 -0.22% | 7.75倍 | 0.71倍 | 4.16% |
| |
278 |
|
-1 -0.36% | 178倍 | 23.8倍 | ー% |
| |
720 |
|
0 0.00% | 17.1倍 | 1.28倍 | ー% |
| |
2,397 |
|
-13 -0.54% | 21.3倍 | 2.43倍 | 3.06% |
| |
2,621.5 |
|
-1.0 -0.04% | 7.61倍 | 0.50倍 | 3.81% |
| |
3,750 |
|
+40 +1.08% | 10.0倍 | 0.63倍 | 4.27% |
| |
918 |
|
-2 -0.22% | 5.22倍 | 0.94倍 | ー% |
| |
2,947.5 |
|
+41.5 +1.43% | 16.3倍 | 1.59倍 | ー% |
| |
2,538 |
|
-8 -0.31% | 7.46倍 | 0.55倍 | 3.94% |
| |
2,884 |
|
+21 +0.73% | 7.81倍 | 1.03倍 | 4.33% |
| |
1,556 |
|
+10 +0.65% | 14.3倍 | 1.09倍 | 3.08% |
| |
3,355 |
|
+5 +0.15% | 11.8倍 | 1.21倍 | 4.47% |
|
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S:現値ストップ高
ケ:特別買い気配
Sケ:ストップ高気配
S:現値ストップ安
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市場略称について
流動性について
市場略称について
略称 | 市場 |
---|---|
東P | 東証プライム |
東S | 東証スタンダード |
東G | 東証グロース |
東E | 東証ETF |
東EN | 東証ETN |
東R | 東証REIT |
東IF | 東証インフラファンド |
名P | 名証プレミア |
名M | 名証メイン |
名N | 名証ネクスト |
名E | 名証ETF |
札A | 札証アンビシャス |
福Q | 福証Q-Board |
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流動性について
下記のように5段階に分類しています。
流動性 | 年間平均 約定回数 |
銘柄 構成比率 |
---|---|---|
① 高い | 1,000回以上 | 13.9% |
② やや高い | 400回〜1,000回 | 18.5% |
③ 中位 | 50回〜400回 | 39.0% |
④ やや低い | 10回〜50回 | 17.6% |
⑤ 低い | 10回未満 | 11.0% |
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