ディスコが４連騰、ＧａＮウエハー生産に最適な量産プロセスを開発
ディスコ<6146>が４連騰し年初来高値を更新している。この日、レーザー加工によるインゴットスライス手法「ＫＡＢＲＡ」を用いた、ＧａＮ（窒化ガリウム）ウエハー生産に最適化したプロセスを開発したと発表しており、好材料視されている。
従来、ＧａＮインゴットをウエハー状にスライスする方法としてはダイヤモンドワイヤソーが主流だったが、ワイヤソーでのスライスは加工時間、ワイヤの太さ同等以上に発生する切断部分の材料損失、切断後の表面平坦化を目的としたラップ研削時の材料損失によるウエハー取り枚数の少なさなど、複数の課題があったという。今回開発したプロセスは、インゴット内部にレーザーを照射する方式で、ＧａＮウエハー生産時における取り枚数増及び加工時間の短縮を同時に実現。１時間あたりのウエハー生産枚数を従来の１枚から６枚に引き上げるとしている。
