シリコンウエハー テーマ株一覧
シリコンウェハー(silicon wafer)とは、半導体デバイスの基板となる基礎素材。高純度なケイ素(シリコン)の単結晶を薄く切断してウエ...
シリコンウェハー(silicon wafer)とは、半導体デバイスの基板となる基礎素材。高純度なケイ素(シリコン)の単結晶を薄く切断してウエハー状にしたもの。ICなど集積回路の製造に多く使用される。大口径化が進んでおり、300ミリシリコンウエハーが主流となっている。
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(単位:億円)
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※株価:2024年11月21日 16:00現在
(株価15分ディレイ)
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銘柄 |
株価 |
時価総額 (億円) |
前日比 |
PER |
PBR |
利回り |
流動性 表記 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
343 |
|
+6 +1.78% | ー倍 | 0.75倍 | ー% |
| |
1,248.5 |
|
-8.5 -0.68% | 21.6倍 | 0.75倍 | 1.68% |
| |
3,425 |
|
-60 -1.72% | 11.9倍 | 1.47倍 | 1.02% |
| |
2,648.0 |
|
-11.0 -0.41% | 7.62倍 | 0.75倍 | 3.78% |
| |
5,596 |
|
-24 -0.43% | 20.8倍 | 2.36倍 | 1.89% |
| |
1,442 |
|
-20 -1.37% | ー倍 | 0.58倍 | ー% |
| |
1,261 |
|
-1 -0.08% | 10.6倍 | 0.79倍 | 2.85% |
| |
3,470 |
|
+20 +0.58% | 13.4倍 | 1.24倍 | 2.02% |
| |
1,792 |
|
-8 -0.44% | 7.70倍 | 0.67倍 | 4.19% |
| |
239 |
|
+22 +10.14% | 11,950倍 | 9.19倍 | ー% |
| |
614 |
|
+6 +0.99% | 14.6倍 | 1.08倍 | 1.63% |
| |
2,364 |
|
-12 -0.51% | 21.0倍 | 2.38倍 | 3.10% |
| |
2,416.5 |
|
-15.0 -0.62% | 7.02倍 | 0.48倍 | 4.14% |
| |
4,350 |
|
+20 +0.46% | 11.6倍 | 0.73倍 | 3.68% |
| |
900 |
|
+7 +0.78% | 10.2倍 | 0.91倍 | 3.89% |
| |
2,480.0 |
|
-29.5 -1.18% | 15.1倍 | 1.39倍 | ー% |
| |
2,516 |
|
+48 +1.94% | 7.39倍 | 0.50倍 | 4.37% |
| |
2,790 |
|
+1 +0.04% | 7.56倍 | 1.01倍 | 4.48% |
| |
1,636 |
|
-3 -0.18% | 15.0倍 | 1.09倍 | 3.06% |
| |
3,300 |
|
-5 -0.15% | 11.6倍 | 1.16倍 | 4.55% |
|
20件 / 20件中
S:現値ストップ高
ケ:特別買い気配
Sケ:ストップ高気配
S:現値ストップ安
ケ:特別売り気配
Sケ:ストップ安気配
市場略称について
流動性について
市場略称について
略称 | 市場 |
---|---|
東P | 東証プライム |
東S | 東証スタンダード |
東G | 東証グロース |
東E | 東証ETF |
東EN | 東証ETN |
東R | 東証REIT |
東IF | 東証インフラファンド |
名P | 名証プレミア |
名M | 名証メイン |
名N | 名証ネクスト |
名E | 名証ETF |
札A | 札証アンビシャス |
福Q | 福証Q-Board |
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流動性について
下記のように5段階に分類しています。
流動性 | 年間平均 約定回数 |
銘柄 構成比率 |
---|---|---|
① 高い | 1,000回以上 | 13.9% |
② やや高い | 400回〜1,000回 | 18.5% |
③ 中位 | 50回〜400回 | 39.0% |
④ やや低い | 10回〜50回 | 17.6% |
⑤ 低い | 10回未満 | 11.0% |
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