シリコンウエハー テーマ株一覧
シリコンウェハー(silicon wafer)とは、半導体デバイスの基板となる基礎素材。高純度なケイ素(シリコン)の単結晶を薄く切断してウエ...
シリコンウェハー(silicon wafer)とは、半導体デバイスの基板となる基礎素材。高純度なケイ素(シリコン)の単結晶を薄く切断してウエハー状にしたもの。ICなど集積回路の製造に多く使用される。大口径化が進んでおり、300ミリシリコンウエハーが主流となっている。
市場
時価総額
(単位:億円)
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21 件
※株価:2025年04月01日 16:00現在
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銘柄 |
株価 |
時価総額 (億円) |
前日比 |
PER |
PBR |
利回り |
流動性 表記 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
277 |
|
-10 -3.48% | ー倍 | 0.60倍 | ー% |
| |
1,028.5 |
|
+21.0 +2.08% | ー倍 | 0.61倍 | ー% |
| |
2,825 |
|
-59 -2.05% | 8.52倍 | 1.09倍 | 1.42% |
| |
2,778.0 |
|
-11.0 -0.39% | 7.99倍 | 0.78倍 | 3.60% |
| |
4,235 |
|
-1 -0.02% | 15.6倍 | 1.89倍 | 2.50% |
| |
1,254 |
|
-4 -0.32% | ー倍 | 0.50倍 | ー% |
| |
1,062 |
|
+4 +0.38% | 8.94倍 | 0.66倍 | 3.39% |
| |
3,520 |
|
+80 +2.33% | 11.2倍 | 1.21倍 | 2.07% |
| |
1,657 |
|
-11 -0.66% | 11.1倍 | 0.65倍 | 4.53% |
| |
224 |
|
+6 +2.75% | 215倍 | 2.90倍 | ー% |
| |
575 |
|
-16 -2.71% | 13.6倍 | 0.97倍 | 1.74% |
| |
1,901 |
|
+9 +0.48% | 16.9倍 | 1.87倍 | 3.86% |
| |
2,464.0 |
|
+20.5 +0.84% | 8.70倍 | 0.47倍 | 4.06% |
| |
3,725 |
|
-25 -0.67% | 9.85倍 | 0.61倍 | 4.30% |
| |
1,312 |
|
0 0.00% | 38.0倍 | 1.34倍 | ー% |
| |
2,165.0 |
|
-8.5 -0.39% | 15.3倍 | 1.14倍 | 2.08% |
| |
2,683 |
|
-81 -2.93% | ー倍 | 0.65倍 | ー% |
| |
2,619 |
|
-54 -2.02% | 7.66倍 | 0.57倍 | 5.35% |
| |
3,270 |
|
-15 -0.46% | 7.82倍 | 1.04倍 | 4.89% |
| |
1,501 |
|
0 0.00% | 13.7倍 | 1.03倍 | 3.33% |
|
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S:現値ストップ高
ケ:特別買い気配
Sケ:ストップ高気配
S:現値ストップ安
ケ:特別売り気配
Sケ:ストップ安気配
市場略称について
流動性について
市場略称について
略称 | 市場 |
---|---|
東P | 東証プライム |
東S | 東証スタンダード |
東G | 東証グロース |
東E | 東証ETF |
東EN | 東証ETN |
東R | 東証REIT |
東IF | 東証インフラファンド |
名P | 名証プレミア |
名M | 名証メイン |
名N | 名証ネクスト |
名E | 名証ETF |
札A | 札証アンビシャス |
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流動性について
下記のように5段階に分類しています。
流動性 | 年間平均 約定回数 |
銘柄 構成比率 |
---|---|---|
① 高い | 1,000回以上 | 13.9% |
② やや高い | 400回〜1,000回 | 18.5% |
③ 中位 | 50回〜400回 | 39.0% |
④ やや低い | 10回〜50回 | 17.6% |
⑤ 低い | 10回未満 | 11.0% |
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