シリコンウエハー テーマ株一覧
シリコンウェハー(silicon wafer)とは、半導体デバイスの基板となる基礎素材。高純度なケイ素(シリコン)の単結晶を薄く切断してウエ...
シリコンウェハー(silicon wafer)とは、半導体デバイスの基板となる基礎素材。高純度なケイ素(シリコン)の単結晶を薄く切断してウエハー状にしたもの。ICなど集積回路の製造に多く使用される。大口径化が進んでおり、300ミリシリコンウエハーが主流となっている。
市場
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(単位:億円)
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株価:2025年12月12日 16:00現在
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| 銘柄 |
株価 |
前日比 |
時価総額 (億円) |
PER |
PBR |
利回り |
流動性 表記 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 369 |
+1 +0.27% |
| 113倍 | 2.14倍 | ー% |
| |
| 1,353.5 |
+6.5 +0.48% |
| ー倍 | 0.81倍 | 1.48% |
| |
| 3,655 |
-25 -0.68% |
| 11.1倍 | 1.32倍 | 1.09% |
| |
| 4,196 |
+122 +2.99% |
| 10.4倍 | 1.11倍 | 2.86% |
| |
| 4,836 |
+226 +4.90% |
| 19.3倍 | 2.15倍 | 2.19% |
| |
| 1,264 |
-13 -1.02% |
| 16.6倍 | 0.50倍 | 3.96% |
| |
| 1,761 |
+97 +5.83% |
| 14.0倍 | 1.06倍 | 2.16% |
| |
| 6,630 |
+110 +1.69% |
| 19.2倍 | 2.13倍 | 1.24% |
| |
| 1,845 |
+27 +1.49% |
| 8.50倍 | 0.71倍 | 4.61% |
| |
| 176 |
-22 -11.11% |
| ー倍 | 2.47倍 | ー% |
| |
| 426 |
0 0.00% |
| 10.7倍 | 0.70倍 | 2.35% |
| |
| 2,365 |
+19 +0.81% |
| 18.7倍 | 2.21倍 | 3.10% |
| |
| 3,474.0 |
+180.0 +5.46% |
| 22.7倍 | 0.67倍 | 2.88% |
| |
| 4,445 |
+25 +0.57% |
| 9.79倍 | 0.72倍 | 3.60% |
| |
| 1,260 |
-33 -2.55% |
| 20.5倍 | 0.66倍 | 3.17% |
| |
| 3,338.0 |
+33.0 +1.00% |
| 18.9倍 | 1.71倍 | 1.50% |
| |
| 6,150 |
+70 +1.15% |
| 19.3倍 | 1.44倍 | ー% |
| |
| 4,740 |
-30 -0.63% |
| 13.9倍 | 1.00倍 | 3.12% |
| |
| 4,950 |
+80 +1.64% |
| 11.6倍 | 1.57倍 | 3.43% |
| |
| 1,981 |
+32 +1.64% |
| 16.7倍 | 1.29倍 | 3.03% |
|
S:現値ストップ高
ケ:特別買い気配
Sケ:ストップ高気配
S:現値ストップ安
ケ:特別売り気配
Sケ:ストップ安気配
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市場略称について
| 略称 | 市場 |
|---|---|
| 東P | 東証プライム |
| 東S | 東証スタンダード |
| 東G | 東証グロース |
| 東E | 東証ETF |
| 東EN | 東証ETN |
| 東R | 東証REIT |
| 東IF | 東証インフラファンド |
| 名P | 名証プレミア |
| 名M | 名証メイン |
| 名N | 名証ネクスト |
| 名E | 名証ETF |
| 札A | 札証アンビシャス |
| 福Q | 福証Q-Board |
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流動性について
下記のように5段階に分類しています。
| 流動性 | 年間平均 約定回数 |
銘柄 構成比率 |
|---|---|---|
| ① 高い | 1,000回以上 | 13.9% |
| ② やや高い | 400回〜1,000回 | 18.5% |
| ③ 中位 | 50回〜400回 | 39.0% |
| ④ やや低い | 10回〜50回 | 17.6% |
| ⑤ 低い | 10回未満 | 11.0% |
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