シリコンウエハー テーマ株一覧
シリコンウェハー(silicon wafer)とは、半導体デバイスの基板となる基礎素材。高純度なケイ素(シリコン)の単結晶を薄く切断してウエ...
シリコンウェハー(silicon wafer)とは、半導体デバイスの基板となる基礎素材。高純度なケイ素(シリコン)の単結晶を薄く切断してウエハー状にしたもの。ICなど集積回路の製造に多く使用される。大口径化が進んでおり、300ミリシリコンウエハーが主流となっている。
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(単位:億円)
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※株価:2024年12月03日 16:00現在
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銘柄 |
株価 |
時価総額 (億円) |
前日比 |
PER |
PBR |
利回り |
流動性 表記 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
299 |
|
+5 +1.70% | ー倍 | 0.65倍 | ー% |
| |
1,229.5 |
|
+28.0 +2.33% | 21.3倍 | 0.74倍 | 1.71% |
| |
3,395 |
|
+120 +3.66% | 11.8倍 | 1.46倍 | 1.03% |
| |
2,702.0 |
|
+21.5 +0.80% | 7.78倍 | 0.77倍 | 3.70% |
| |
5,614 |
|
+68 +1.23% | 20.9倍 | 2.37倍 | 1.89% |
| |
1,454 |
|
+31 +2.18% | ー倍 | 0.59倍 | ー% |
| |
1,312 |
|
-7 -0.53% | 11.0倍 | 0.83倍 | 2.74% |
| |
3,460 |
|
+50 +1.47% | 13.3倍 | 1.23倍 | 2.02% |
| |
1,748 |
|
+29 +1.69% | 7.51倍 | 0.66倍 | 4.29% |
| |
236 |
|
+11 +4.89% | 11,800倍 | 9.07倍 | ー% |
| |
570 |
|
-1 -0.18% | 13.5倍 | 1.01倍 | 1.75% |
| |
2,420 |
|
+48 +2.02% | 21.5倍 | 2.44倍 | 3.03% |
| |
2,436.0 |
|
+10.0 +0.41% | 7.07倍 | 0.48倍 | 4.11% |
| |
4,040 |
|
+40 +1.00% | 10.7倍 | 0.67倍 | 3.96% |
| |
889 |
|
0 0.00% | 10.1倍 | 0.90倍 | 3.94% |
| |
2,485.5 |
|
+16.5 +0.67% | 15.1倍 | 1.40倍 | ー% |
| |
2,572 |
|
+78 +3.13% | 7.55倍 | 0.51倍 | 4.28% |
| |
2,768 |
|
+39 +1.43% | 7.50倍 | 1.00倍 | 4.52% |
| |
1,689 |
|
+19 +1.14% | 15.5倍 | 1.13倍 | 2.96% |
| |
3,320 |
|
+15 +0.45% | 11.7倍 | 1.17倍 | 4.52% |
|
20件 / 20件中
S:現値ストップ高
ケ:特別買い気配
Sケ:ストップ高気配
S:現値ストップ安
ケ:特別売り気配
Sケ:ストップ安気配
市場略称について
流動性について
市場略称について
略称 | 市場 |
---|---|
東P | 東証プライム |
東S | 東証スタンダード |
東G | 東証グロース |
東E | 東証ETF |
東EN | 東証ETN |
東R | 東証REIT |
東IF | 東証インフラファンド |
名P | 名証プレミア |
名M | 名証メイン |
名N | 名証ネクスト |
名E | 名証ETF |
札A | 札証アンビシャス |
福Q | 福証Q-Board |
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流動性について
下記のように5段階に分類しています。
流動性 | 年間平均 約定回数 |
銘柄 構成比率 |
---|---|---|
① 高い | 1,000回以上 | 13.9% |
② やや高い | 400回〜1,000回 | 18.5% |
③ 中位 | 50回〜400回 | 39.0% |
④ やや低い | 10回〜50回 | 17.6% |
⑤ 低い | 10回未満 | 11.0% |
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