シリコンウエハー テーマ株一覧
シリコンウェハー(silicon wafer)とは、半導体デバイスの基板となる基礎素材。高純度なケイ素(シリコン)の単結晶を薄く切断してウエ...
シリコンウェハー(silicon wafer)とは、半導体デバイスの基板となる基礎素材。高純度なケイ素(シリコン)の単結晶を薄く切断してウエハー状にしたもの。ICなど集積回路の製造に多く使用される。大口径化が進んでおり、300ミリシリコンウエハーが主流となっている。
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※株価:2024年12月18日 11:04現在
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銘柄 |
株価 |
時価総額 (億円) |
前日比 |
PER |
PBR |
利回り |
流動性 表記 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
3,185 |
|
+10 +0.31% | 11.2倍 | 1.12倍 | 4.71% |
| |
1,595 |
|
+23 +1.46% | 14.6倍 | 1.06倍 | 3.13% |
| |
2,719 |
|
+29 +1.08% | 7.37倍 | 0.98倍 | 4.60% |
| |
2,523 |
|
+30 +1.20% | 7.38倍 | 0.50倍 | 4.36% |
| |
2,561.0 |
|
+56.5 +2.26% | 15.6倍 | 1.44倍 | ー% |
| |
902 |
|
+7 +0.78% | 10.3倍 | 0.91倍 | 3.88% |
| |
3,850 |
|
+40 +1.05% | 10.2倍 | 0.64倍 | 4.16% |
| |
2,331.5 |
|
+29.5 +1.28% | 6.77倍 | 0.46倍 | 4.29% |
| |
2,418 |
|
+33 +1.38% | 21.5倍 | 2.43倍 | 3.03% |
| |
689 |
|
+12 +1.77% | 16.4倍 | 1.22倍 | 1.45% |
| |
245 |
|
+39 +18.93% | 389倍 | 9.42倍 | ー% |
| |
1,724 |
|
+19 +1.11% | 7.41倍 | 0.65倍 | 4.35% |
| |
3,515 |
|
+25 +0.72% | 13.5倍 | 1.25倍 | 1.99% |
| |
1,272 |
|
+1 +0.08% | 10.7倍 | 0.80倍 | 2.83% |
| |
1,329 |
|
+16 +1.22% | 12.2倍 | 0.54倍 | 3.01% |
| |
5,215 |
|
+23 +0.44% | 19.4倍 | 2.20倍 | 2.03% |
| |
2,591.5 |
|
+14.0 +0.54% | 7.46倍 | 0.73倍 | 3.86% |
| |
3,340 |
|
+40 +1.21% | 11.6倍 | 1.44倍 | 1.05% |
| |
1,153.5 |
|
+16.5 +1.45% | 20.0倍 | 0.70倍 | 1.82% |
| |
281 |
|
-1 -0.35% | ー倍 | 0.61倍 | ー% |
|
20件 / 20件中
S:現値ストップ高
ケ:特別買い気配
Sケ:ストップ高気配
S:現値ストップ安
ケ:特別売り気配
Sケ:ストップ安気配
市場略称について
流動性について
市場略称について
略称 | 市場 |
---|---|
東P | 東証プライム |
東S | 東証スタンダード |
東G | 東証グロース |
東E | 東証ETF |
東EN | 東証ETN |
東R | 東証REIT |
東IF | 東証インフラファンド |
名P | 名証プレミア |
名M | 名証メイン |
名N | 名証ネクスト |
名E | 名証ETF |
札A | 札証アンビシャス |
福Q | 福証Q-Board |
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流動性について
下記のように5段階に分類しています。
流動性 | 年間平均 約定回数 |
銘柄 構成比率 |
---|---|---|
① 高い | 1,000回以上 | 13.9% |
② やや高い | 400回〜1,000回 | 18.5% |
③ 中位 | 50回〜400回 | 39.0% |
④ やや低い | 10回〜50回 | 17.6% |
⑤ 低い | 10回未満 | 11.0% |
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