レゾナックが高い、直径３００ミリＳｉＣ単結晶基板の開発に成功
レゾナック・ホールディングス<4004>が高い。同社はきょう、次世代エレクトロニクス材料である炭化ケイ素（ＳｉＣ）で、直径３００ミリ（１２インチ）のＳｉＣ単結晶の成長及び基板加工に成功したと発表。これが買い手掛かりとなっているようだ。
今回の成果は、長年培ってきたＳｉＣ単結晶成長技術及び基板加工技術を基盤とし、新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）に造成されたグリーンイノベーション基金事業の一部成果を活用したＳｉＣ基板の大口径化と高品質化に向けた取り組みの一環。同社は今後もＳｉＣ単結晶基板及びエピウエハーの技術革新を追求し、高性能・高信頼性のＳｉＣ材料の提供を通じて、パワーエレクトロニクス市場の進化と持続可能な社会の実現につなげていくとしている。
